SiCの高速スイッチング性能を増強する新パッケージ

ロームの第3世代トレンチゲート構造SiC-MOSFETは、サーバー用電源や太陽光発電のインバータ、EV充電ステーションなどの省エネに大きく貢献しています。
今回さらにSiC MOSFETがもつ高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができる4pinパッケージ品をラインアップに追加しました。

[4pinパッケージ SiC-MOSFETラインアップ]

<特長>
従来の3pinパッケージは、ソース端子がもつインダクタンス成分によりゲート電圧の低下が起こり、スイッチングスピードが遅延する原因となっていました。

今回採用の4pinパッケージでは、従来のソース端子とは別のゲートドライバ用ソース端子を設けることで、実効的なゲート電圧の低下を抑制できるため、スイッチング性能を最大限に引き出すことができます。
実際、4pinパッケージ品は、より高速スイッチングで低損失を実現でき、さらなる低消費電力化に貢献できます。

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