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【ローム】低VF & 高サージ耐量 第3世代SiC-SBD

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新規構造の採用により、既に量産している業界最小レベルの低順方向電圧を達成した第2世代SiC-SBD特性を維持したまま、高サージ電流耐量を確保した第3世代SiC-SBD(SCS3xxAシリーズ)を開発しました。
より電源PFC用途向けに最適な製品となっています。

≫第3世代SiC-ショットキーバリアダイオードの紹介ページはこちら

特長①【低VF特性を維持しつつ、高サージ電流耐量を実現】
業界最小レベルの低VF特性に加え、高サージ電流耐量も実現。電源PFC用途に最適です。

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特長②【低リーク電流特性】
通常、順方向電圧を低くすると逆方向リーク電流が増加する傾向にありますが、ロームの最新第3世代SiC-SBDはJBS(Junction Barrier schottky)構造の採用により、リーク電流を低く、かつ順方向電圧の低減に成功しました。

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【ラインアップ】

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ロームのSiC-SBDはお客様のご期待にそえるよう、ご要望などをとり入れ今後もさらに充実させていきます。

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