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在这里,我们欢迎您观看DesignSpark第一次“问专家”节目。与罗姆半导体合作,我们邀请您,我们的DesignSpark成员,张贴任何有关于碳化硅电源设备问题。
谢谢你精彩的参与,答案现在在下面的视频中:
Christian Felgemacher
2011年,他获得了爱丁堡大学电子与电气工程管理学学士学位和博士学位。2018年毕业于卡塞尔大学。从2012年到2017年,他在卡塞尔大学的分布式电力技术能力中心担任研究助理,在那里,他专注于光伏逆变器中的电力半导体的可靠性以及宽带间隙设备的利用。Christian于2018年加入ROHM半导体公司,在那里他为客户设计最先进的功率半导体,如SiC mosfts到他们的功率转换系统。.
与硅相比,碳化硅(SiC)在电力电子设计方面具有许多优点和优势。SiC以其低损耗、高开关频率和高效率的特性吸引了系统设计者和电力电子工程师的注意。 |
问题列表
对SiC感兴趣,但是现在没有时间看整个视频?点击下面的时间戳,可以看到Christian对每个具体问题的回答::
00:38 - 碳化硅给电力电子系统带来了什么IGBT, MOSFET和超级结MOSFET没有的优势?
01:43 -碳化物(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的区别是什么?
02:33 - 在哪些应用程序中SiC应该被视为默认选择?为什么?
03:23 - 今天有什么类型的SiC设备可用?
04:04 - 哪些行业正在朝着SiC的方向发展,这是不是需要更高的能力?
04:46 - 与硅相比,碳化硅的成本水平是多少?有溢价吗?如果有,为什么?
06:21 - 关键的操作差异是什么?
07:47 - 那么以硅为主导的消费类电子产品的功率转换呢? SiC会出现吗
08:30 -由于所用的封装材料,SiC只适用于低频电路,是真的吗?在较高的频率,电容和电感成为一个问题?如果是,他们适合什么频率范围?
10:15 -喜欢ROHM在DesignSpark上的SiC文章。那么SiC被认为是一种外星物质吗?!
11:07 - 电动汽车是大新闻,你是否与任何汽车制造商合作开发这种技术,以摆脱对化石燃料的依赖?
12:42 - SiC MOSFET可以被设计在电路中作为硅的替代品吗,或者你需要考虑更广泛的工作特性时,包括SiC吗?
14:04 -当SiC mosfet并联时,理想的栅极电阻值是多少?
14:49 - 为什么在SiC器件驱动过程中栅极信号有欠冲/过冲?
15:57 - 在使用SiC产品时,如何减轻栅极信号的欠冲和过冲?
16:26 -偏离建议值时,SiC MOSFET和模块中的栅极电压驱动会发生什么情况?
18:05 - SiC MOSFET和模块中栅极驱动电压是否需要设置负偏置?
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