半導体リレー機能の設計を簡単に！パナソニックの「MOSFETドライバ」Vol.2
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連載でお届けしているパナソニックの「MOSFETドライバ」のご紹介。
前回の記事（Vol.1）では「MOSFETドライバ」の概要をご説明しました。今回（Vol.2）と次回(Vol.3)の記事では、Si-MOSFETやSiC（Silicon Carbide）のMOSFETの駆動に要求される「高出力電圧」と「高速動作」の実現に向けたご提案をご紹介します。
▼パナソニックのMOSFETドライバ高出力タイプ（NEW）
▼パナソニックのMOSFETドライバ ラインナップはこちら
産業機器、情報インフラ、蓄電システムなどの電源用途に採用されているパワーMOSFETとして、現在主流のSi-MOSFET。加えて、近年、車載だけでなく産業用にも活用が進んでいるSiC（Silicon Carbide）のMOSFETがあります。それぞれ、高効率な駆動を実現するために要求されるのが「高出力電圧」と「高速動作」です。今回の記事では、「高出力電圧」を達成するための解決策をご紹介します。
【ケース1 】ゲート・ソース間に高い電圧（Vgs）を印加し MOSFETのオン抵抗を下げたい
MOSFETのゲート・ソース間に大きい電圧を印加したい
このSiC-MOSFETの出力特性は魅力的だな。
しかし、オン抵抗を十分に下げるには従来のMOSFETドライバを2つ使う必要がありそうだ。
基板専有面積が大きくなってしまうな。
Panasonicの新MOSFETドライバなら実現可能！！
Vgs=Typ.18V印加可能
SiC-MOSFETのオン抵抗を十分に下げることが出来る！
Panasonicの新MOSFETドライバなら、このSiC-MOSFETのオン抵抗を下げるのに
必要な電圧を1つでまかなえそうだ！！
SiCなど推奨ゲート電圧の高いMOSFETをご使用する場合でも、
高出力電圧タイプなら安心です
【お勧め商品】MOSFETドライバ高出力電圧タイプ
【おすすめする理由】
①高出力電圧
②MOSFET低オン抵抗化に貢献
③SiCなど推奨ゲート電圧の高いMOSFETの駆動も可能
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【メリット】小型高出力電圧
SiCなどのような、性能を十分に発揮する為に高いゲート電圧Vgsを必要とするMOSFETに対し、小型のまま十分な電圧供給が可能
・従来のMOSFETドライバを使った場合
ドライバからの供給電圧では動作は出来るがオン抵抗が下がらない。
MOSFETドライバを2個使用し供給電圧を上げる必要あり。
・高出力電圧タイプのMOSFETドライバを使った場合
1つのMOSFETドライバでSiC-MOSFETを動作させることができ、
オン抵抗も十分に下げることが可能です！
いかがでしょうか。産業、ロボティクス、情報通信/インフラ、車載用途の電源回路で要求される「高出力電圧」の実現に、是非、パナソニックの「MOSFETドライバ 高出力電圧タイプ」をご検討ください。次回の記事では「高速動作」のニーズにお応えするご提案を紹介します。
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