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GaNパワーデバイス『X-GaN (TM)』 ISPSD2015 最優秀論文発表賞(Best Paper Award)を受賞!

こんにちは。今年も残すところ...。と数え始める師走にさしかかりました。

今回は、私どものGaNパワーデバイスが
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  最優秀論文発表賞(Best Paper Award)を受賞!
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したニュースをご紹介したいと思います。
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パワー半導体で最も権威ある国際学会のひとつ、
ISPSD(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)」
が開催した会議(51114日、香港で開催)において、世界の研究機関や企業など
トップレベルの研究者が応募した218件の論文の中から、当社のGaNパワー半導体の論文がみごと1位を獲得しました。

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<学会発表の様子>

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<電流コラプスを解決するパナソニックのHD-GIT構造>

当社が考案した新たなデバイス構造により、GaNパワー半導体の信頼性が大幅に向上し、
製品化への道を大きく開いたことが高く評価されたものです。

受賞した技術内容の詳細や、受賞者コメントを当社webサイトに載せています。
是非ご覧ください。

ISPSD受賞特集>
http://www.semicon.panasonic.co.jp/rd/?id=0001-411

GaNパワーデバイス>
http://www.semicon.panasonic.co.jp/rd/?id=0001-412

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▼パナソニック セミコンダクターソリューションズホームページ

http://www.semicon.panasonic.co.jp/jp/

 

 

 

 

 

<ご質問・お問い合わせ>
title申し訳ございませんが、こちらのブログにご記入いただいた「コメント」には回答できませんので
当社HP内のお問い合わせ(下記)までご連絡くださいますよう、よろしくお願いいたします。

 

 

*技術に関するお問合せ:
http://www.semicon.panasonic.co.jp/jp/contactus/attent-techinq.html
*営業に関するお問合せ:
https://www.semicon.panasonic.co.jp/semi_qa

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